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详解mos管开关电路图、p型mos管开关电路图、mos管做开关电路图、MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端;第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端。
www.kiaic.com/article/detail/914.html 2018-06-12
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3.3v电路图、5v到3.3v电平转换电路、 使用LDO稳压器,从5V电源向3.3V系统供电,标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V,就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low Dropout, LDO)稳压器,是此类应用的理想选择。图 1-1 是...
www.kiaic.com/article/detail/913.html 2018-06-12
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三端稳压器型号、三端稳压器7805、三端稳压器型号大全、三端稳压器电路图、78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代...
www.kiaic.com/article/detail/910.html 2018-06-11
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nmos和pmos有什么区别,nmos和nmos导通条件,nmos和nmos优缺点,NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采...
www.kiaic.com/article/detail/907.html 2018-06-08
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光伏逆变器在光伏电站建造本钱的5%--8%,却在整个体系中扮演着中枢体系的人物,所以又被许多人称作是光伏体系的“关键先生”。一个小小的逆变器的好坏,直接影响了整个发电体系的优劣性。逆变器的中心参数及安稳性直接决议光伏电站的安稳运转,可是我们普通用户...
www.kiaic.com/article/detail/571.html 2018-06-07
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逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT),功率场效应管(MOSFET),绝缘栅晶体管(IGBT)和可关 断晶闸管(GTO)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET,因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率,...
www.kiaic.com/article/detail/610.html 2018-05-31
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1. 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能;2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制;3. 开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率;4. MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。
www.kiaic.com/article/detail/243.html 2018-05-28
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锂离子电池一般包含三个主要成分:阳极,阴极,电解质。阳极:在放电过程中电子通过外电路转移走,电极材料被氧化。大部分商用的电池使用基于炭/石墨的电极材料;不过金属或者合金也可以作为阳极材料。阴极:在放电过程中,通过外电路接收电子;通常使用过渡金...
www.kiaic.com/article/detail/702.html 2018-05-24
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KIA产品丝印变通知函,由于我司产品丝印变更给贵司造成困扰,还望理解!
www.kiaic.com/article/detail/877.html 2018-05-24
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KIA mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心,研发人员以来韩国(台湾)超一流团队。好产品好企业是坚持出来...
www.kiaic.com/article/detail/612.html 2018-05-24
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车载转化器怎么接的方法,车载充电器(OBC)是一种交流/直流系统,可以在高压电网中对电池进行充电,它能将交流电从电网转换为电池所需要的直流电源。车辆中也有交流元件和负载,如电机和发电机,电池的直流电源被转换成交流电来驱动电机。同样,再生制动产生的交...
www.kiaic.com/article/detail/861.html 2018-05-16
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主要用处逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(普通为220v50HZ正弦或方波)。浅显的讲,逆变器是一种将直流电(DC)转化为交流电(AC)的安装。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。普遍适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电开工具、缝纫机、DVD、...
www.kiaic.com/article/detail/512.html 2018-05-14
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如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子,因而对漂移区电导率进行调制,可仗IGBT具有很强的通流能力。介于P+注入区与N...
www.kiaic.com/article/detail/307.html 2018-05-09
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板级封装无论是狭义上的模块,还是IPM、PIM、MCM、SIP/SOP,中心的元器件都是管芯和裸芯片,即没有封装的晶体管与IC。采用裸芯片既能够降低本钱,又能够有效减小电路体积。但是关于不控制裸芯片的制造商而言,采购管芯和裸芯
www.kiaic.com/article/detail/393.html 2018-04-25